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IMEC和Veeco合作力图降低GaN

发布时间:2019-08-15 17:42:12

  比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和的成本。

  IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说, Veeco MOCVD设备的生产力,可重复性,均匀性和晶体质量为我们在硅基氮化镓和LED应用的发展里程碑上起到了重要作用。启用该设备性能外延已经帮助我们实现最先进的D-模式(耗尽模式)和E-模式(增强模式)功率器件。我们的目标是建立一个完整的生产基础设施,使硅基氮化镓成为具备竞争力的技术。

  IMEC的多元伙伴硅基氮化镓的研究和发展计划,积聚业界共同开发世界级的氮化镓LED及兼容200nm的CMOS基础设施的200nm硅衬底功率器件。通过与IMEC联手,公司共享成本、人才和知识产权,以开发先进技术,将它们更快地推向市场。

  Veeco高级副总裁兼总经理,Jim Jenson,评论说, 2011年以来,我们一直就这个项目与IMEC合作,并受到自身进步的鼓励。我们的合作是互惠互利的,因为我们都专注于能够实现更低的成本,同时保持硅基氮化镓器件的一流性能。这种技术可以用于实现较低的成本,使固态照明,更高效的电源设备适用于多种应用,如电源及适配器,光伏逆变器的太阳能电池板,和用于电动车的功率转换。

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